在選擇SIC時(shí)，我們不僅要看表面，還要參照實(shí)際的工作條件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。在選擇SIC的額定電流時(shí)，除了通過(guò)各部件的平均電流外，還應(yīng)在正常工作中注意導(dǎo)電角的大小、散熱和通風(fēng)條件等因素。還應(yīng)注意，殼體溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。

1. 晶閘管冷卻和環(huán)境條件：

(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷: 風(fēng)速≥6m/s，風(fēng)溫≤40 ° c;

（2）水冷：流量4L/mm，壓力強(qiáng)度0.2±0.03Mpa。水溫為35℃。水電阻率為20KΩ。cm，HP值為6-8；

(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境進(jìn)行溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境不同溫度5℃—40℃；

（4）空氣相對(duì)濕度為85%；

（5）無(wú)腐蝕性氣體和粉塵損壞絕緣；

(6)壓力86(106千帕) ;

(7)無(wú)劇烈振動(dòng)或沖擊；

(8)若有特殊場(chǎng)合，應(yīng)進(jìn)行分析相應(yīng)的試驗(yàn)，證明自己工作提供可靠方可通過(guò)使用。

2.硅處理前的考慮事項(xiàng)：

（1）注明所需產(chǎn)品類型、結(jié)構(gòu)（螺栓、凹槽、凸臺(tái)）、散熱器類型。

(2)指定您感興趣的參數(shù)要求。

(3)選擇工作電流通過(guò)電壓時(shí)要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚?/p>

3、可控硅使用需要注意安全事項(xiàng)：

（1）線路內(nèi)必須有過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)措施，流量均衡措施必須串聯(lián)和并聯(lián)使用。

（2）用萬(wàn)用表簡(jiǎn)單地判斷設(shè)備是否損壞：柵極陰極之間的電阻應(yīng)該有幾十或幾十個(gè)Ω，否則柵極已經(jīng)短路或開路。陰陽(yáng)極之間的阻力應(yīng)大于1MΩ（整流管向前除外）。電阻小于1MΩ表示兩極間絕緣性能較差，電阻接近于零表示器件已被突破。如果發(fā)現(xiàn)短路或斷路，應(yīng)立即更換。

(三)嚴(yán)禁用兆歐表(即震動(dòng)計(jì))檢查元器件的絕緣狀況。

(4)電流大于5A的可控硅應(yīng)配有散熱器，并保證規(guī)定的冷卻條件。為了保證散熱器與可控硅管芯的良好接觸，兩者之間要涂上一層薄薄的硅油或硅脂，以利于良好的散熱。

(5)按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅采用過(guò)壓及過(guò)流保護(hù)工作裝置。

（6）以防止可控硅桿的正向過(guò)載和反向故障。