可控硅是可控硅整流器元件的縮寫。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。與其他半導(dǎo)體器件一樣，TCR具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、運(yùn)行可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)已使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電的部門轉(zhuǎn)移到高功率部門，并已成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通、軍事研究、商業(yè)和民用電器的一個(gè)組成部分。

在操作中，晶閘管（也稱為晶閘管）T具有連接到電源和負(fù)載陽(yáng)極A和陰極K，形成晶閘管的主電路。晶閘管的柵極g和陰極k以及用于控制晶閘管的裝置連接以形成用于晶閘管的控制電路。

雙向晶閘管是一種具有三個(gè)電極 t1，t2和 g 的五層 npnpn 器件，因?yàn)槠骷梢栽趦蓚€(gè)方向連接，除了柵極 g 之外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子，使用 t1和 t2。它不再分為陽(yáng)極或陰極。當(dāng) g 極和 t 擁有屬性之間的電壓相對(duì)于 t 1是正電壓時(shí)，t 2是陽(yáng)極，t 1是陰極。相反，當(dāng) g 和 t2電極的電壓相對(duì)于 t1為負(fù)時(shí)，t1成為陽(yáng)極，t2成為陰極。由于正反向特性曲線的對(duì)稱性，三端雙向晶閘管開關(guān)的伏安特性可以任意方向切換。

可控硅是一個(gè)四層三端器件，有三個(gè)PN結(jié)J1，J2和J3，可以將中間的NP分成兩部分，形成PNP型三極管和NPN型復(fù)合管。三極管。

當(dāng)可控硅經(jīng)受正向影響陽(yáng)極工作電壓時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)接通可控硅，須防止企業(yè)經(jīng)受反向輸入電壓的PN結(jié)J2阻塞。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，當(dāng)兩個(gè)方面相互關(guān)系復(fù)雜的晶體管進(jìn)行電路設(shè)計(jì)具有自己足夠的柵極電流Ig流入時(shí)，形成強(qiáng)的正反饋，導(dǎo)致他們兩個(gè)晶體管飽和問(wèn)題并且由于晶體管飽和。

以上是廠家和大家解釋的可控硅的工作過(guò)程和原理。

晶閘管整流裝置簡(jiǎn)介