對(duì)于學(xué)生交流更加可控以及整流系統(tǒng)輸出控制電路或交流進(jìn)行調(diào)壓模塊電路，其主回路都含有2只可控硅溫度器件可以作為一個(gè)正負(fù)半周的可控參數(shù)整流技術(shù)器件，由于中國(guó)這二個(gè)可控硅的陰極就是不為同電位，故需用2路獨(dú)立的觸發(fā)數(shù)據(jù)信號(hào)，來(lái)分別通過(guò)觸發(fā)這2只可控硅。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。圖中的G1、K1與G2、K2即為2路獨(dú)立的觸發(fā)輸入信號(hào)的引線端。其與可控硅連線為：G1與K1接可控硅的柵極與陰極，G2與K2接第二個(gè)實(shí)現(xiàn)可控硅的柵極與陰極，請(qǐng)見下圖的可控硅與觸發(fā)板的連線：該圖為使用可控硅交流提供調(diào)壓處理電路，主回路有2只反并聯(lián)可控硅組成，其D1管的柵極接觸發(fā)板的G1引線端，D1管的陰極接觸發(fā)板的K1引線端，D2管的柵極接觸發(fā)板的G2引線端，D2管的陰極接觸發(fā)板的K2引線端，D1與D2這二個(gè)可控硅是分別管理工作需要電源設(shè)計(jì)電壓的正負(fù)半周。

在正半周期(UAUB)中，晶閘管D1的陽(yáng)極電位高于其陰極電位，因此，當(dāng)正脈沖輸入到端子G1以觸發(fā)時(shí)，晶閘管D1從關(guān)斷開始導(dǎo)通。 然而，晶閘管D2陽(yáng)極電勢(shì)低于陰極的陽(yáng)極電勢(shì)，使得盡管G2端子也接收到正觸發(fā)脈沖，但是晶閘管D2不被觸發(fā)和導(dǎo)通。

在負(fù)半周期中，晶閘管D2陽(yáng)極電位高于其陰極電位，因此當(dāng)G2輸入正脈沖觸發(fā)時(shí)，晶閘管D2從關(guān)斷開始導(dǎo)通。 然而，晶閘管D1陽(yáng)極電位低于晶閘管D1的陰極電位，使得盡管正觸發(fā)脈沖也輸入到G1，但是晶閘管D1不被觸發(fā)和導(dǎo)通。

交流調(diào)壓電路的原理: 在交流正半周期，d1管的陽(yáng)極電位高于陰極，d2管的陽(yáng)極電位低于陰極，只有 d1管被觸發(fā)并打開，而 g2管仍然處于低壓狀態(tài)(見右邊的 g1正半周期負(fù)載波形)。作為減去半個(gè)星期的交換條件，你將失去工作