晶閘管擊穿是晶閘管使用中的常見問題。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。晶閘管擊穿的原因是什么，如何預(yù)防和防止？下面是晶閘管擊穿的相關(guān)分析。

可控硅被擊穿問題主要有通過以下三點(diǎn)：

　　1、 過壓擊穿：

超壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，可控硅超壓幾乎沒有時(shí)間，即使在幾毫秒內(nèi)短期超壓擊穿，因此實(shí)際應(yīng)用電路，在可控硅兩端必須連接鋼筋混凝土吸收電路，以避免瞬時(shí)超壓引起的各種不規(guī)則干擾脈沖。如果硅膠經(jīng)常擊穿，檢查吸收電路的組件是否燒毀或故障。

       2、過流和過熱故障：

過電流擊穿和過熱擊穿是一回事。過電流擊穿是當(dāng)電流通過可控硅芯片時(shí)，芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱效應(yīng)，導(dǎo)致芯片溫度升高，當(dāng)芯片溫度達(dá)到175 ° c 時(shí)，芯片就會(huì)失效，不能恢復(fù)。在正常工作條件下，只要工作電流不超過 scr 額定電流，就不會(huì)發(fā)生這種熱擊穿，因?yàn)檫^電流擊穿原理是由溫升引起的，而溫升過程需要一段時(shí)間，所以短時(shí)間內(nèi)溢流(幾百毫秒到幾秒)一般不會(huì)被擊穿。

　　3、過熱擊穿：

過熱擊穿是指工作電流不超過晶閘管額定電流時(shí)發(fā)生的熱擊穿。造成這種故障的主要原因是晶閘管輔助冷卻裝置工作不正常，可以控制，硅片太熱而不能分解。對(duì)于使用水冷卻工程，主要檢查水溫過高(一般要求水溫應(yīng)在25 ° c 以下，但最高不能超過35 ° c) ，流量充足;對(duì)于使用、風(fēng)冷工作，應(yīng)檢查風(fēng)機(jī)轉(zhuǎn)速是否正常，環(huán)境溫度是否過高，但不能過高，無論是風(fēng)冷還是水冷，如果更換可控硅整流器只是為了更換芯片，安裝時(shí)應(yīng)注意，芯片與散熱器的接觸面必須保證良好接觸，接觸面必須平整，不能有劃痕,或凹凸不平且不能有防塵夾具，還要保證有足夠均勻的壓力，特別是對(duì)于水冷式可控硅，三個(gè)螺栓的張力必須均勻，還要經(jīng)常檢查和清理水垢，過大的水垢也會(huì)影響擴(kuò)散，熱效應(yīng)導(dǎo)致過熱擊穿。另外，如果多次更換晶片也會(huì)造成散熱器的接觸面變形，影響散熱效果，如果機(jī)器上的晶閘管經(jīng)常出故障，找不到其他原因，應(yīng)該考慮用散熱器代替晶閘管。