硅酮控制整流器是一種以可控硅控制器（電力電子電力裝置）和智能數(shù)字控制電路為核心的電源控制裝置。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。它具有效率高、無機(jī)械噪聲和磨損、響應(yīng)速度快、體積小、重量輕等優(yōu)點(diǎn)。

晶閘管（晶閘管）是晶閘管的縮寫，也稱為晶閘管整流器（可控硅整流器-可控硅），以前稱為晶閘管。 由于其所能承受的電壓和電流容量在當(dāng)前的電力電子器件中仍然較高，并且工作可靠，因此在大容量的應(yīng)用中仍然具有相對(duì)重要的地位。

自20世紀(jì)50年代問世以來，它已發(fā)展成為一個(gè)大家族，其主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光學(xué)晶閘管、反向?qū)ňчl管、關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管等?，F(xiàn)在我們使用單向可控硅整流器，通常稱為普通可控硅整流器，它由四層半導(dǎo)體材料組成，有三個(gè) pn 結(jié)，有三個(gè)外部電極(圖2(a)) : 第一個(gè) p 型半導(dǎo)體引到一個(gè)陽極 a，第三個(gè) p 型半導(dǎo)體引到一個(gè)控制電極 g，第四個(gè) n 型半導(dǎo)體引到一個(gè)陰極 k，從可控硅的電路符號(hào)(圖2(b)可以看到，這是一個(gè)單向器件，像二極管導(dǎo)電。關(guān)鍵點(diǎn)是增加了一個(gè)控制極 g 這使得它的工作方式完全不同于二極管。

可控硅整流器的工作基本原理

可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)元件，共有以下三個(gè)PN結(jié)，分析工作原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成

當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí)，BG1管和BG2管都被放大。在這一點(diǎn)上，如果從屬控制

當(dāng)正觸發(fā)信號(hào)輸入到柵極G時(shí)，基極電流ib2流過柵極BG2，柵極BG2放大了基極電流ib2，集電極電流ic2＝β 2ib2。 由于BG2的集電極直接連接到BG1的基極，所以ib1＝ic2。 此時(shí)，電流ic2再次被BG1放大，從而集電極電流ic1＝。 β 1ib1=。 該電流流回BG2的基極，并表現(xiàn)為正反饋，增加IB2。由于該正向饋送循環(huán)，兩個(gè)管中的電流急劇增加，晶閘管導(dǎo)通飽和。

由于 bg1和 bg2的正反饋效應(yīng)，一旦晶閘管接通，即使控制極 g 的電流消失，晶閘管也能保持通態(tài)，使可控硅整流器不可拆卸。

可控硅整流器的結(jié)構(gòu)

◆從外觀上看，可控硅也主要有兩種封裝結(jié)構(gòu):插銷式和扁平式。

◆引出一個(gè)陽極A、陰極K和門極(控制端)G三個(gè)系統(tǒng)聯(lián)接端。 ◆內(nèi)部是PNPN四層半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。