晶閘管，又稱晶閘管，是硅整流裝置中的主要裝置。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。它可以在很多場(chǎng)合使用。在不同的場(chǎng)合、電路和負(fù)載條件下，可以選擇晶閘管的重要參數(shù)，使器件運(yùn)行更好、壽命更長(zhǎng)。

1.選擇正反向電壓

可控硅在門極無信號(hào)，控制電流Ig為0時(shí)，在陽(yáng)（A）逐一陰（K）極之間加（J2）處于反向偏置，所以，器件呈高阻抗?fàn)顟B(tài)，稱為正向阻斷狀態(tài)，若增大UAK而達(dá)到一定值VBO，可控硅由阻斷忽然轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，這個(gè)VBO值稱為正向轉(zhuǎn)折電壓，這種導(dǎo)通是非正常導(dǎo)通，會(huì)減短器件的壽命。所以必須選擇足夠正向重復(fù)阻斷峰值電壓（VDRM）。在陽(yáng)逐一陰極之間加上反向電壓時(shí)，器件的一和三PN結(jié)（J1和J3）處于反向偏置，呈阻斷狀態(tài)。當(dāng)加大反向電壓達(dá)到一定值VRB時(shí)可控硅的反向從阻斷忽然轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)是反向擊穿，器件會(huì)被損壞。而且VBO和VRB值隨電壓的重復(fù)施加而變小。在感性負(fù)載的情況下，如磁選設(shè)備的整流裝置。在關(guān)斷的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生很高的電壓（ ∈=-Ldi/dt），假如電路上未有良好的吸收回路，此電壓將會(huì)損壞可控硅。因此，可控硅也必須有足夠的反向耐壓VRRM。

可控硅在變流器（如電機(jī)車）中工作時(shí)，必須自己能夠以電源系統(tǒng)頻率進(jìn)行重復(fù)地經(jīng)受到了一定的過電壓而不影響其工作，所以正反向峰值電壓技術(shù)參數(shù)VDRM、VRRM應(yīng)保證在正常生活使用不同電壓達(dá)到峰值的2-3倍以上，考慮到學(xué)生一些問題可能會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)的浪涌電壓環(huán)境因素，在選擇代用參數(shù)的時(shí)候,只能向高一檔的參數(shù)可以選取。

2. 選擇額定工作電流參數(shù)

晶閘管額定電流為一定條件下的通態(tài)均勻電流IT，即在+40 ℃ 環(huán)境溫度和規(guī)定的冷卻條件下，器件處于單相工頻正弦半波電路中，電阻負(fù)載下導(dǎo)通角不小于70 ℃。 額定結(jié)溫穩(wěn)定時(shí)允許通態(tài)均勻電流。 一般變頻器工作時(shí)，各臂晶閘管的電流系數(shù)不均勻。 在大多數(shù)情況下，晶閘管不可能在170 ℃ 的導(dǎo)通角下工作，通常小于該導(dǎo)通角。 因此，晶閘管的額定電流必須選擇得稍大一點(diǎn)，它應(yīng)該是正常電流均勻性值的1.5-2.0倍。

3.選擇關(guān)斷時(shí)間

如果在陽(yáng)極電流降至0之后立即加上正極電壓，即使沒有柵極信號(hào)，晶閘管也會(huì)再次導(dǎo)通，如果在再次加上正極電壓之前，設(shè)備經(jīng)過一段時(shí)間的反向偏置電壓，不會(huì)誤導(dǎo)設(shè)備啟動(dòng)，也就是說，在晶閘管關(guān)斷后恢復(fù)其閉鎖能力需要一定的時(shí)間。從電流通過 o 到正向電壓能夠中斷的時(shí)間間隔為晶閘管的關(guān)斷時(shí)間 tg，它由反向恢復(fù)時(shí)間 t 和門極恢復(fù)時(shí)間 t 組成。普通晶閘管的 tg 為150ー200μs，可用于一般的電力混頻器，但在大感性負(fù)載的情況下可以作出一些選擇。