晶閘管智能穩(wěn)壓模塊: 是一種以晶閘管(power electronic power power device)為基礎(chǔ)，以智能數(shù)字控制電路為核心，可控硅調(diào)節(jié)器、晶閘管穩(wěn)壓器、功率調(diào)節(jié)器、功率調(diào)節(jié)器、功率控制器的功率控制電器。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。本實(shí)用新型具有效率高、無機(jī)械噪聲和磨損、響應(yīng)速度快、體積小、重量輕等優(yōu)點(diǎn)。

智能可控硅調(diào)壓模塊的原理:

1.整流電路設(shè)計(jì)采用橋式整流，將220伏，50赫茲技術(shù)交流工作電壓變?yōu)橐粋€(gè)脈沖直流電。

2.抗干擾電路是一種普通的電源抗干擾電路。

3.晶閘管控制電路由晶閘管和降壓電阻組成。

4.張弛振蕩器由一個(gè)晶體管和一個(gè)電阻器組成。

5.充放電電路由電阻、可變電阻和電容組成。

可控硅進(jìn)行智能調(diào)壓功能模塊由可控整流部分電路和觸發(fā)設(shè)計(jì)電路分為兩部分內(nèi)容組成，其電路原里圖如下圖數(shù)據(jù)所示。從圖中我們可知，二極管D1-D4 組成橋式整流輸出電路，雙基極: 二極管T1構(gòu)成張弛振蕩器可以作為實(shí)現(xiàn)可控硅的同步觸發(fā)檢測(cè)電路。當(dāng)調(diào)壓器接上市電后，220V 交流電直接通過網(wǎng)絡(luò)負(fù)載電阻RL 經(jīng)二極管D1-D4 整流，在可控硅可控硅 的A、K 兩端之間形成自己一個(gè)社會(huì)脈動(dòng)直流輸入電壓，該電壓由電阻R1降壓后作為學(xué)生觸發(fā)保護(hù)電路的直流電機(jī)電源。在交流電的正半周時(shí)，整流電壓技術(shù)通過R4、W1對(duì)電容C充電。當(dāng)充電電池電壓UC 達(dá)到T1管的峰值電流電壓UP時(shí)，T1管由截止?fàn)顟B(tài)變?yōu)閷?dǎo)通，于是利用電容C通過T1管的e、b1結(jié)和R2 迅速提高放電，結(jié)果在R2 上獲得發(fā)展一個(gè)尖脈沖。這個(gè)過程中脈沖方式作為企業(yè)控制相關(guān)信號(hào)信息送到可控硅可控硅的控制極，使可控硅導(dǎo)通。可控硅導(dǎo)通后的管壓降很低，一般都是小于1V,所以需要張弛震蕩器停止學(xué)習(xí)工作。當(dāng)交流電或者通過兩個(gè)零點(diǎn)是，可可控硅自關(guān)斷，當(dāng)交流電在負(fù)半周時(shí)電容C又從新中國(guó)充電。如此周而復(fù)始，便可及時(shí)調(diào)整文化負(fù)載RL上的功率了。