在設(shè)備生產(chǎn)過(guò)程中，選用好的晶閘管器件，不僅可以保證設(shè)備的運(yùn)行質(zhì)量和效率，而且可以降低設(shè)備的修復(fù)率。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。 然后，如何為您選擇晶閘管元件的質(zhì)量。

（1）正、反向電壓的選擇

可控硅工作時(shí)，必須能在工頻下反復(fù)承受一定的過(guò)電壓而不影響其工作，所以正負(fù)峰值電壓參數(shù)VDRM和VRRM應(yīng)保證在使用峰值電壓的2-3倍以上。

（2）額定工作進(jìn)行電流通過(guò)參數(shù)的選擇

在一定條件下，其額定電流是一個(gè)較大的通態(tài)平均電流IT。因?yàn)楫?dāng)變流器工作時(shí)，每個(gè)臂的可控硅可能有不均勻的流量因素，而且它通常小于170℃的導(dǎo)電角工作。因此，其額定電流應(yīng)從其正常工作電流的1.5-2.0倍選擇。

（3）門（控制級(jí)）參數(shù)選擇

晶閘管門通過(guò)控制信號(hào)從阻斷到導(dǎo)通需要很長(zhǎng)的時(shí)間。這次叫開(kāi)門時(shí)間 tgt。在串并聯(lián)運(yùn)行時(shí)，應(yīng)盡可能選擇接近 tgt 的晶閘管。如果差異過(guò)大，串聯(lián)運(yùn)行時(shí)正向電壓不能均勻分布，時(shí)間較長(zhǎng)的晶閘管損壞。短 tgt 的晶閘管在并聯(lián)運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電流分布和損壞。

在不允許誤導(dǎo)晶閘管的設(shè)備中，如電機(jī)調(diào)速，可選用柵極觸發(fā)電壓和電流稍大的管(如觸發(fā)電壓VGT 2V，觸發(fā)電流IGT 150mA)，以保證不誤導(dǎo)晶閘管，在觸發(fā)脈沖功率較高的電路中也可選用觸發(fā)電壓和電流稍大的晶閘管。

（4）關(guān)斷系統(tǒng)時(shí)間(tg) 的選擇

恢復(fù)其阻塞能力需要一些時(shí)間。從正向電流超過(guò)0到裝置能夠阻斷重正向電壓的嘴時(shí)氣味時(shí)間間隔為可控硅停機(jī)時(shí)間tg，工作頻率與停機(jī)時(shí)間有關(guān)。在超過(guò)50周時(shí)，必須選擇關(guān)閉時(shí)間參數(shù)。CR(KK)的截止時(shí)間為10-50s，工作頻率可達(dá)1K-4KHZ，介質(zhì)(KPK)的截止時(shí)間為60-100s，工作頻率可達(dá)數(shù)百至lKHZ。

（5）電壓上升速率（dV/dt）和電流上升速率（di/dt）的選擇

在晶閘管的閉鎖狀態(tài)下，正電壓升高率超過(guò)一定值時(shí)，裝置就會(huì)打開(kāi)，從而使晶閘管誤接通。選擇足夠的 dv/dt 晶閘管。一般來(lái)說(shuō)500a scr/dt 是100-200v/μs。工作頻率在幾百赫茲應(yīng)選擇 dv/dt 在200-1000v/μs kk 或 kpk scr。

當(dāng)觸發(fā)脈沖加在柵極上時(shí)，可控硅先在柵極附近的小區(qū)域?qū)?，然后逐漸擴(kuò)大，直到所有結(jié)面都導(dǎo)通，所以如果在導(dǎo)通初期陽(yáng)極電流上升過(guò)快，PN結(jié)可能會(huì)局部燒毀。普通可控硅(500A)的diu002Fdt為50-300Au002Fμs，在工頻條件下，可以使用50Au002Fμs以下的diu002Fdt。在變頻條件下，diu002Fdt必須在100Au002Fμs以上..