使用雙向可控硅的十大指南
發(fā)布時間: 2023-01-11 10:12:24 人氣:333 次
標(biāo)準(zhǔn)1:為了接通晶閘管(或三端雙向可控硅開關(guān)),必須有大于IGT的柵極電流,直到負載電流達到IL。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內(nèi)3C認證。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。 必須根據(jù)可能遇到的低溫來滿足和考慮該條件。
規(guī)則2: 若要斷開(開關(guān))晶閘管(或雙向晶閘管) ,負載電流必須處于兩者之間,才能恢復(fù)到截止?fàn)顟B(tài)。這些條件必須在可能的高操作溫度下滿足。
準(zhǔn)則3:在設(shè)計雙向可控硅觸發(fā)電路時,盡可能避免使用3+象限(wt2-,+)。
準(zhǔn)則4:為了能夠減少雜波進行吸收,將柵極結(jié)構(gòu)連接的長度逐漸變小,可以通過直接結(jié)果返回線直接連接到MT1(或陰極)。如果我們使用硬線,則使用雙螺旋線或屏蔽線。閘門與MT1之間的電阻變化小于或者等于1K。高頻旁路電容器與柵電阻串聯(lián)。另一種方式解決問題方案是使用H系列低靈敏度以及雙向可控硅。
規(guī)則5:如果DVD/DT或DVCOM/DT有問題,請在MT1和MT2之間添加一個RC緩沖電路。如果高dicom/DT可能導(dǎo)致問題,增加幾個mh電感和負載串聯(lián)。另一個解決方案是使用高通信雙向硅。
標(biāo)準(zhǔn)6:在供電嚴重異常的瞬態(tài)過程中,如果可能超過三端雙向可控硅開關(guān)的電壓互感器,則采取以下措施之一:在負載上設(shè)置多個muh串聯(lián)電感,限制DIT/DT電壓互感器;連接電源,在電源側(cè)增加濾波電路。
準(zhǔn)則7: 通過選擇合適的觸發(fā)電路和避免象限條件,可以大大提高雙向晶閘管的容量。
標(biāo)準(zhǔn)8:如果可能超過三端雙向可控硅開關(guān)的DIT/DT,則在負載上串聯(lián)一個沒有芯電感或幾個 μ H的負溫度系數(shù)的熱敏電阻。 另一個解決方案是電阻負載的零電壓傳導(dǎo)。
規(guī)則9:當(dāng)裝置固定在散熱器上時,避免對雙向控制可控硅施加一定壓力,然后進行焊接連接導(dǎo)線。不要將鉚釘芯軸放在教學(xué)設(shè)備管理接口件的側(cè)面。
規(guī)則10:確保Rthj-a足夠低,可以長時間可靠地工作,以保持TJ不高于Tjmax,對應(yīng)于可能的高環(huán)境溫度。