晶閘管在電流傳導(dǎo)中起著重要作用，晶閘管的故障或損壞將直接影響設(shè)備的正常使用。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。因此，在日常使用過程中，需要加強(qiáng)對可控硅的關(guān)鍵控制，避免可控硅損壞等問題的發(fā)生。

可控硅在使用管理過程中我們也要注意以下事項(xiàng)：

1.一般來說，低功率可控硅不需要增加散熱器，但應(yīng)遠(yuǎn)離加熱部件，如高功率電阻、高功率三極管和電力變壓器等。對于大功率可控硅，必須按照手冊的要求安裝散熱裝置和冷卻條件，以確保管道的溫度不超過連接溫度。

2.當(dāng)晶閘管在使用中發(fā)生過流和短路時(shí)，會導(dǎo)致過電流燒壞燈管。 對于過流，一般交流電源可配備快速熔斷器進(jìn)行保護(hù)。 快速熔斷器的熔斷時(shí)間極短，一般熔斷器的額定電流是晶閘管額定平均電流的1.5倍。

3.交流電源在接通和關(guān)斷時(shí)，有可能導(dǎo)通或切斷晶閘管上的過電壓現(xiàn)象，導(dǎo)致管道擊穿。對于過電壓，可以采用并聯(lián) rc 吸收電路。由于電容器兩端的電壓不會突然改變，所以只要采用可控硅陰極、陽極和 rc 電路，就可以降低功率瞬時(shí)過電壓，起到可控硅的保護(hù)作用。當(dāng)然，也可以使用壓敏電阻過電壓保護(hù)元件進(jìn)行過電壓保護(hù)。

以上是可控硅使用注意事項(xiàng)的說明，希望對可控硅的使用有所幫助。