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雙向控制可控硅的使用管理規(guī)則,你知道嗎?

發(fā)布時間: 2023-02-13 13:01:57    人氣:329 次


硅通器,硅鐵整流元件的簡稱,是一種高功率半導體器件,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu),也稱為硅鐵。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。由于具有尺寸小、結(jié)構(gòu)相對簡單、功能強等特點,是最常用的半導體器件之一,其次由可控硅廠家小邊介紹了雙向可控硅的使用十大規(guī)則。

1.為了導通晶閘管(或雙向晶閘管) ,必須有門極電流 igt,直到負載電流達到鹽值,這個條件必須滿足,并根據(jù)可能的低溫來考慮。

2.要斷開(開關(guān))開關(guān)管(或雙向可控硅),負載電流必須為

3、設(shè)計進行雙向控制可控硅觸發(fā)系統(tǒng)電路時,只要有可能,就要我們避開3 象限(WT2-,+)。

4.為了減少雜波吸收,柵極連接長度減少至低,回線直接連接MT1(或陰極),如果硬絲、螺絲或屏蔽線、柵和MT1電阻1kΩ或以下,高頻旁通和柵電容交叉連接電阻;另一種,選擇H系列低靈敏度雙向。

如果DVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題,則在MT1和MT2之間添加RC緩沖電路,如果高DICOM/dt可能引起問題,則與負載串聯(lián)地添加幾個mH電感;使用另一種解決方案Hi-Com triac。

圖6。如果在嚴重和異常的電源瞬態(tài)下,雙向可控硅的 vdrm 可能超過,應(yīng)采取以下措施之一: 在負載上串聯(lián)幾個 μh 的不飽和電感來限制 dit/dt; 在電源側(cè)增加一個濾波電路。

7.選擇一個好的門觸發(fā)電路并避免三象限工作條件可以大大提高雙向晶閘管的dITu002Fdt容差。

8、若雙向控制可控硅的 dIT/dt 有可能被超出,負載上盡量進行串聯(lián)作為一個幾μH 的無鐵芯電感或負溫度效應(yīng)系數(shù)的熱敏材料電阻;另一種方式解決管理辦法:對電阻性負載可以采用零電壓導通。

9.當裝置固定在散熱器上時,避免應(yīng)力和固定,然后焊接引線。不要將鉚釘芯軸放在設(shè)備接口件的一側(cè)。

10。 對于長期可靠的運行,應(yīng)確保Rth j-a足夠低以保持Tj不高于Tjmax,該值對應(yīng)于可能的高環(huán)境溫度。


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