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詳談可控硅工作特性

發(fā)布時(shí)間: 2023-02-24 12:46:40    人氣:338 次


可控硅的陽極工作電壓與陽極電流的關(guān)系,稱為可控硅的伏安特性。晶閘管一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路,一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件??煽毓璧年枠O與陰極間加上一個(gè)正向影響電壓時(shí),在可控硅進(jìn)行控制極開路(Ig=0)情況下,開始執(zhí)行元件設(shè)計(jì)中有一些很小的電流(稱為中國正向漏電流)流過,可控硅陽極與陰極間表現(xiàn)出具有很大的電阻,處于發(fā)展截止目前狀態(tài)(稱為企業(yè)正向阻斷這種狀態(tài)),簡稱斷態(tài)。

當(dāng)陽極電壓上升到一定值時(shí),晶閘管突然從阻斷狀態(tài)變?yōu)橥〝酄顟B(tài),即通斷狀態(tài)。陽極這一點(diǎn)的電壓稱為關(guān)態(tài)不可重復(fù)峰值電壓(udsm) ,或稱為正向轉(zhuǎn)換電壓(ubo)。

導(dǎo)通后,大電流流過元件,其值主要由限流電阻(>使用中的負(fù)載)決定。 當(dāng)陽極供電電壓減小或負(fù)載電阻增大時(shí),陽極電流減小,并且當(dāng)陽極電流小于維持電流IH時(shí),晶閘管從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。 從圖中可以看出,當(dāng)正向電流Ig流過晶閘管控制電極時(shí),晶閘管的正向轉(zhuǎn)向電壓降低,Ig越大,轉(zhuǎn)向電壓越小,當(dāng)Ig足夠大時(shí),晶閘管的正向轉(zhuǎn)向電壓就越小。 一旦施加正陽極電壓,晶閘管就導(dǎo)通。 實(shí)際上,當(dāng)在晶閘管元件陽極和陰極之間施加6V DC電壓時(shí),元件被啟用

控制極上的下限電流(電壓)稱為觸發(fā)電流(電壓)。

當(dāng)晶閘管的陽極和陰極之間施加反向電壓時(shí),晶閘管起初處于反向阻斷狀態(tài),只有很小的反向漏電流流過。當(dāng)反向電壓增加到一定值時(shí),反向漏電流急劇增加。此時(shí)對應(yīng)的電壓稱為反向非重復(fù)峰值電壓(URSM),或反向擊穿電壓(UBR)??梢钥闯?,可控硅的反向伏安特性與二極管相似。


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